12月12日，韩国公司获得美国豁免，三星电子和SK海力士等在华工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备，且已采取相应措施。 中建钢构消息显示，三星（中国）半导体12英寸闪存芯片M-FAB项目模块已完成首吊，标志着项目正式进入主体施工阶段。公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司2012年落户西安高新区，是三星唯1的海外存储器半导体生产基地。该工厂于2020年增设了第二期工厂项目，目前已成为全球大的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆，占据了三星NAND总产量的40%以上。三星西安

12月28日，台积电的中科台中园区扩建二期计划近日获得内政部都市计划委员会的批准，此举为台积电在1.4纳米制程技术上的布局投下了重要的一票。台积电正积极扩展其先进的制程技术，而中科二期扩建的通过，为其1.4纳米工艺的生产提供了更大的可能性。 台积电对中科二期扩建的用地规划一直有所保留，尽管北部的1.4纳米生产基地计划暂时搁置，但台积电仍未放弃在中科建立1.4纳米生产基地的愿景。中科台中园区扩建二期紧邻现有园区，面积达89.75公顷。原本台积电计划将此区域作为2纳米的备援用地，后因台中市政府的审

1月16日，Northvolt宣布签署50亿美元（约合人民币360亿元）无追索权项目融资协议，以扩建瑞典北部的Northvolt Ett超级工厂。 Northvolt还表示，该融资方案还将使与超级工厂毗邻的Revolt Ett回收厂得以扩建。 据了解，Revolt Ett电池回收项目于2021年启动，2023年建成投产，规划年回收总计12.5万吨电池。 现阶段，Northvolt的重点是扩大回收能力，以实现到2030年生产采用50%回收材料的电池的目标。 除Revolt Ett回收工厂外，20

浙江益中封装技术有限公司宣布其一期扩建项目正式开工。这一重要项目标志着其在车规级半导体封装领域的战略布局迈出了实质性的一步。 据悉，该扩建项目计划建设一条先进的封装产线，专门用于生产Si/SiC器件。这一产线将采用业界领先的技术和设备，以确保产品的高品质和可靠性。 扩建项目的总面积达到5800平方米，预计总投资超过亿元。这一规模的投资充分展现了对车规级半导体封装市场的长期承诺和信心。 按照规划，该项目预计在2024年6月投产，届时将具备年产超3.96亿颗单管产品的能力。

近日，据晶能微电子官微消息，浙江益中封装技术有限公司举行一期扩建项目开工仪式。 该项目计划投建一条车规级 Si/SiC器件先进封装产线。扩建总面积为5800㎡，总投资超亿元，预计2024年6月投产，年产超3.96亿颗单管产品。 此前消息，为丰富封装产品线，晶能微电子与钱江摩托签署协议，投资1.23亿元收购后者持有的浙江益中封装技术有限公司100%股权。益中封装已高质量运行10年，专注于TO单管封测与产品开发。凭借领先的芯片封装工艺及高可靠性产品能力，持续为国内外头部客户提供卓越封测和产品服务，