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经常碰到很多客户讨论钽电容爆炸问题，特别在开关电源、LED电源等行业，钽电容烧毁或爆炸是令研发技术人员最头痛的，让他们百思不得其解。正因为钽电容失效模式的危险性，让很多研发技术人员都不敢再使用钽电容了，其实如果我们能够全面的了解钽电容的特性，找到钽电容失效（表现形式为烧毁或爆炸）的原因，钽电容并没有那么可怕。毕竟钽电容的好处是显而易见的。 1.低阻抗电路使用电压过高导致的失效;对于钽电容器使用的电路,只有两种;有电阻保护的电路和没有电阻保护的低阻抗电路.对于有电阻保护的电路,由于电阻会起到降压

一、电感运用的场合 湿润与枯燥、环境温度的凹凸、高频或低频环境、要让电感体现的是理性，仍是阻抗特性等，都要留意。 二、电感的频率特性 在低频时，电感通常出现电感特性，既只起蓄能，滤高频的特性。 但在高频时，它的阻抗特性体现的很明显。有耗能发热，理性效应降低一级现象。不相同的电感的高频特性都不相同。 下面就铁氧体资料的电感加以说明： 铁氧体资料是铁镁合金或铁镍合金，这种资料具有很高的导磁率，他可所以电感的线圈绕组之间在高频高阻的状况下发生的电容最小。铁氧体资料通常在高频状况下运用，因为在低频时他

EMI是指电子产品工作会对周边的其他电子产品造成干扰，与此关联的还有EMC规范。是电子电器产品经常遇上的问题。干扰种类有传导干扰和辐射干扰。目前，大部分传导 EMI 问题都是由共模噪声引起的。而且，大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容导致的。以下将着重讨论当寄生电容直接耦合到电源输入电线时会发生的情况。 1. 只需几 fF 的杂散电容就会导致 EMI 扫描失败。从本质上讲，开关电源具有提供高 dV/dt 的节点。寄生电容与高 dV/dt 的混合会产生 EMI 问题。在寄生电容的另一端连接至

对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。 静电 由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。 然而，在插人插座时，CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路，栅极上的电荷

生活中除了衣食住行之外，LED灯光也是我们常见且应用广泛的物品，随着社会的进步，人们对于人造光的应用变得更加的依赖，常见有家用LED节能灯、LED植物生长灯等，今天我们就来聊聊LED节能灯的质量检测问题。 LED灯由LED模块、灯头、内置驱动、散热及灯罩等组成，固需要从LED灯的安全性能和电磁兼容（EMC）等方面进行检测评估。华通威是权威的灯具检测机构，以下介绍LED灯的安全性能检测模块。 LED灯安全性能模块： 常见的自镇流LED灯是指灯头符合IEC 60061－1，内含LED光源和保持稳定

随着信号上升沿时间的减小，信号频率的提高，电子产品的EMI问题，也来越受到电子工程师的重视。高速pcb设计的成功，对EMI的贡献越来越受到重视，几乎60％的EMI问题可以通过高速PCB来控制解决。 1、高速信号走线屏蔽规则 如上图所示：在高速的PCB设计中，时钟等关键的高速信号线，则需要进行屏蔽处理，如果没有屏蔽或只屏蔽了部分，都是会造成EMI的泄漏。建议屏蔽线，每1000mil，打孔接地。2、高速信号的走线闭环规则由于PCB板的密度越来越高，很多PCB layout工程师在走线的过程中，很容

晶振，全喻为“晶体振荡器”，它在电路中级起到发生共振效率的作用，我们都接头，单片机有何不可看成是在钟表使得下的岁序逻辑电路，这就是说本条所需要的钟表纵令晶振来发生，何尝不可说它的单片机的中枢，让单片机时刻有脉动，它驾御着处理器的工作韵律，晶振的频率有32.768kHz、1MHz、2MHz、4MHz、8MHz、12MHz……自然，再有众多别样效率。 晶振有无源晶振以及有源晶振，我辈平日看到在铁脚板方面由电容、电阻等电子器件来助起振的晶振莫过于就算无源晶振，它特需外表电子元件有难必帮；二有源晶振它